Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
45 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
5 GHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,126
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,152
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,126
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,152
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,126 | € 378,00 |
6000 - 6000 | € 0,119 | € 355,95 |
9000+ | € 0,112 | € 337,05 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
45 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
5 GHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas