Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
80 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
580 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
8 GHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,226
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,273
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,226
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,273
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,226 | € 22,58 |
500 - 900 | € 0,153 | € 15,33 |
1000 - 2400 | € 0,145 | € 14,49 |
2500 - 4900 | € 0,132 | € 13,23 |
5000+ | € 0,125 | € 12,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
80 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
580 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
8 GHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas