Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
65 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-343
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
450 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
8000 MHz
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
0.9 x 2 x 1.25mm
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,33
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,399
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
€ 0,33
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,399
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
65 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-343
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
450 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
8000 MHz
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
0.9 x 2 x 1.25mm
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas