Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
800 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
75 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
170 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,133
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,161
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,133
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,161
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
800 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
75 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
170 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas