Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Pakuotės tipas
SOT-143
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
900 mV
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
Maximum Collector Cut-off Current
5µA
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.9mm
Plotis
1.3mm
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,042
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,051
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
25
€ 0,042
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,051
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Pakuotės tipas
SOT-143
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
900 mV
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
Maximum Collector Cut-off Current
5µA
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.9mm
Plotis
1.3mm
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas