Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Aukštis
1.5mm
Plotis
2.5mm
Maximum Power Dissipation
1 W
Matmenys
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.5mm
Base Current
100mA
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,194
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,235
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 0,194
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,235
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Aukštis
1.5mm
Plotis
2.5mm
Maximum Power Dissipation
1 W
Matmenys
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.5mm
Base Current
100mA
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas