Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
4000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Power Dissipation
1 W
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.5mm
Aukštis
1.5mm
Plotis
2.5mm
Matmenys
4.5 x 2.5 x 1.5mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,301
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,364
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
25
€ 0,301
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,364
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,301 | € 7,53 |
50 - 100 | € 0,236 | € 5,91 |
125 - 225 | € 0,207 | € 5,17 |
250 - 475 | € 0,185 | € 4,62 |
500+ | € 0,169 | € 4,23 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
4000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Power Dissipation
1 W
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.5mm
Aukštis
1.5mm
Plotis
2.5mm
Matmenys
4.5 x 2.5 x 1.5mm