Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
20000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Power Dissipation
360 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.9mm
Plotis
1.3mm
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,111
Each (On a Reel of 500) (be PVM)
€ 0,134
Each (On a Reel of 500) (su PVM)
500
€ 0,111
Each (On a Reel of 500) (be PVM)
€ 0,134
Each (On a Reel of 500) (su PVM)
500
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
500 - 1000 | € 0,111 | € 55,65 |
1500 - 2500 | € 0,07 | € 35,18 |
3000 - 5500 | € 0,055 | € 27,30 |
6000+ | € 0,052 | € 26,25 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
20000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
10µA
Maximum Power Dissipation
360 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.9mm
Plotis
1.3mm
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas