Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Produkto aprašymas
Dual Matched Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,414
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,501
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
€ 0,414
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,501
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,414 | € 20,68 |
250 - 450 | € 0,17 | € 8,50 |
500 - 1200 | € 0,162 | € 8,08 |
1250 - 2450 | € 0,149 | € 7,46 |
2500+ | € 0,136 | € 6,82 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Produkto aprašymas