Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
Dual Matched Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,132
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,16
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,132
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,16
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,132 | € 396,90 |
6000 - 6000 | € 0,126 | € 378,00 |
9000+ | € 0,118 | € 352,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas