Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas
General Purpose PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,016
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,019
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 0,016
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,019
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Produkto aprašymas