Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
Small Signal NPN Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,117
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,141
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,117
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,141
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas