Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
99 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
TO-262
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
77 nC @ 10 V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Automotive Standard
AEC-Q101
Serija
AUIRF
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,362
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,858
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 2,362
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,858
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
99 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
TO-262
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
77 nC @ 10 V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Automotive Standard
AEC-Q101
Serija
AUIRF