Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
IntelliFET
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
6.55mm
Plotis
3.55mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Aukštis
1.65mm
Kilmės šalis
Germany
Produkto aprašymas
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,52
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,839
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 1,52
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,839
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 10 | € 1,52 | € 7,60 |
15 - 45 | € 0,946 | € 4,73 |
50 - 245 | € 0,899 | € 4,49 |
250 - 495 | € 0,839 | € 4,19 |
500+ | € 0,786 | € 3,93 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
IntelliFET
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
6.55mm
Plotis
3.55mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Aukštis
1.65mm
Kilmės šalis
Germany
Produkto aprašymas
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.