Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
70 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
IntelliFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
0.9mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Kilmės šalis
Germany
Produkto aprašymas
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,50
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,605
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 0,50
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,605
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
70 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
IntelliFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
0.9mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Kilmės šalis
Germany
Produkto aprašymas
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.