Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM Diodes Inc ZXMS6004DT8TA

RS kodas: 738-5200PGamintojas: DiodesZetexGamintojo kodas: ZXMS6004DT8TA
brand-logo
Žiūrėti viską MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

DiodesZetex

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serija

IntelliFET

Pakuotės tipas

SM

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.13 W

Transistor Configuration

Isolated

Number of Elements per Chip

2

Maksimali darbinė temperatūra

+125 °C

Ilgis

4.95mm

Plotis

3.95mm

Transistor Material

Si

Minimali darbinė temperatūra

-40 °C

Aukštis

1.5mm

Kilmės šalis

Germany

Produkto aprašymas

IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc

IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 0,548

Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)

€ 0,663

Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)

Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM Diodes Inc ZXMS6004DT8TA
Pasirinkite pakuotės tipą

Gamybinė pakuotė (Ritė)

Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas - each

Galima įsigyti kartotiną kiekį 5.

Gamyba -

Galima įsigyti kartotiną kiekį 5.

Rekomenduojama užsakant dideliais kiekiais. Produktai supakuoti taip, kad juos būtų galima įdėti į mašinas, todėl galite padidinti gamybos efektyvumą.

5

Galima įsigyti kartotiną kiekį 5
5€ 2,74
10€ 5,48
15€ 8,22
20€ 10,96
25€ 13,70
30€ 16,44
35€ 19,19
40€ 21,93
45€ 24,67
50€ 27,41
55€ 30,15
60€ 32,89
65€ 35,63
70€ 38,37
75€ 41,11
sticker-462

€ 0,548

Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)

€ 0,663

Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)

Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM Diodes Inc ZXMS6004DT8TA
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą

Gamybinė pakuotė (Ritė)

Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas - each

Galima įsigyti kartotiną kiekį 5.

Gamyba -

Galima įsigyti kartotiną kiekį 5.

Rekomenduojama užsakant dideliais kiekiais. Produktai supakuoti taip, kad juos būtų galima įdėti į mašinas, todėl galite padidinti gamybos efektyvumą.

5

Galima įsigyti kartotiną kiekį 5
5€ 2,74
10€ 5,48
15€ 8,22
20€ 10,96
25€ 13,70
30€ 16,44
35€ 19,19
40€ 21,93
45€ 24,67
50€ 27,41
55€ 30,15
60€ 32,89
65€ 35,63
70€ 38,37
75€ 41,11
sticker-462

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

DiodesZetex

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serija

IntelliFET

Pakuotės tipas

SM

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

600 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.13 W

Transistor Configuration

Isolated

Number of Elements per Chip

2

Maksimali darbinė temperatūra

+125 °C

Ilgis

4.95mm

Plotis

3.95mm

Transistor Material

Si

Minimali darbinė temperatūra

-40 °C

Aukštis

1.5mm

Kilmės šalis

Germany

Produkto aprašymas

IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc

IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more