Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
E-Line
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.77mm
Plotis
2.41mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.01mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,636
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,769
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
50
€ 0,636
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,769
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
50 - 95 | € 0,636 | € 3,18 |
100 - 495 | € 0,492 | € 2,46 |
500 - 995 | € 0,432 | € 2,16 |
1000+ | € 0,392 | € 1,96 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
E-Line
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.77mm
Plotis
2.41mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.01mm
Produkto aprašymas