Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.55mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.55mm
Aukštis
1.65mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,266
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,322
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 0,266
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,322
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.55mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.55mm
Aukštis
1.65mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas