Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
10000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0005mA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Aukštis
1mm
Plotis
1.4mm
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
€ 28,20
€ 0,047 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 34,12
€ 0,057 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
600

€ 28,20
€ 0,047 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 34,12
€ 0,057 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
600

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,047 | € 2,35 |
| 1500+ | € 0,037 | € 1,85 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
10000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0005mA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Aukštis
1mm
Plotis
1.4mm
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas


