Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+9 V
Plotis
3.55mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.55mm
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,127
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,154
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,127
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,154
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+9 V
Plotis
3.55mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.55mm
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas