Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
V-DFN3030
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.9 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.9 nC @ 10V
Plotis
3.05mm
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,495
Each (On a Reel of 10000) (be PVM)
€ 0,599
Each (On a Reel of 10000) (su PVM)
10000
€ 0,495
Each (On a Reel of 10000) (be PVM)
€ 0,599
Each (On a Reel of 10000) (su PVM)
10000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
V-DFN3030
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.9 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.9 nC @ 10V
Plotis
3.05mm
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China