Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DI5060
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.95mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30.6 @ 10 V nC
Aukštis
1.05mm
Serija
DMP
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,26
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,525
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,26
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,525
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DI5060
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.95mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30.6 @ 10 V nC
Aukštis
1.05mm
Serija
DMP
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas