Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Plotis
4.1mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,169
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,205
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,169
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,205
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Plotis
4.1mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Produkto aprašymas