Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DI5060
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Serija
DMP
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,417
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,505
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,417
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,505
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DI5060
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Serija
DMP
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas