Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
V-DFN3333
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
3.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Aukštis
0.78mm
Serija
DMP
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,344
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 0,416
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
€ 0,344
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 0,416
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
V-DFN3333
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
3.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64.2 nC @ 10 V
Aukštis
0.78mm
Serija
DMP
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas