Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X1-DFN1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
800 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Ilgis
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Plotis
1.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.48mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,071
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,086
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,071
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,086
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,071 | € 214,20 |
9000 - 12000 | € 0,068 | € 204,75 |
15000+ | € 0,066 | € 198,45 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X1-DFN1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
800 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Ilgis
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.8 nC @ 8V
Plotis
1.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.48mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China