Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,051
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,062
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,051
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,062
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Kilmės šalis
China