Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Ilgis
3mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
6.3 nC @ 4.5V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,077
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,093
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,077
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,093
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,077 | € 229,95 |
9000 - 12000 | € 0,075 | € 223,65 |
15000+ | € 0,072 | € 217,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Ilgis
3mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
6.3 nC @ 4.5V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China