Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.1 @ 10 V nC
Plotis
3.95mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.5mm
Serija
DMN
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,131
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,159
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,131
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,159
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.1 @ 10 V nC
Plotis
3.95mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.5mm
Serija
DMN
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas