Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Serija
DMN
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.66mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Plotis
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
4.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,15
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,812
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 3,15
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,812
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 10 | € 3,15 | € 15,75 |
15 - 25 | € 2,468 | € 12,34 |
30+ | € 2,362 | € 11,81 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Serija
DMN
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.66mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Plotis
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
4.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas