Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Serija
DMN
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Plotis
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Ilgis
10.66mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,205
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,668
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 2,205
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,668
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,205 | € 110,25 |
100+ | € 2,048 | € 102,38 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Serija
DMN
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Plotis
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Ilgis
10.66mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas