Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,05
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,061
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
€ 0,05
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,061
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas