Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
407 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
X1-DFN1006
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.07mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.45 nC @ 4.5V
Plotis
0.67mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
0.48mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,065
Each (On a Reel of 10000) (be PVM)
€ 0,079
Each (On a Reel of 10000) (su PVM)
10000
€ 0,065
Each (On a Reel of 10000) (be PVM)
€ 0,079
Each (On a Reel of 10000) (su PVM)
10000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
407 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
X1-DFN1006
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.07mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.45 nC @ 4.5V
Plotis
0.67mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
0.48mm
Kilmės šalis
China