Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PDI3333
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 15 V
Aukštis
0.8mm
Serija
DMN3016LDV
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,09
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,109
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,09
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,109
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PDI3333
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 15 V
Aukštis
0.8mm
Serija
DMN3016LDV
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas