Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X1-DFN1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
890 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
1.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.48mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,039
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,047
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,039
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,047
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X1-DFN1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
890 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
1.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.48mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China