Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.33 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-563
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
530 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
1.25mm
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 242,25
€ 0,081 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 293,12
€ 0,098 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 242,25
€ 0,081 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 293,12
€ 0,098 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.33 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-563
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
530 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
1.25mm
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas