Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.4 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,186
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,225
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,186
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,225
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.4 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas