Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,334
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,404
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
€ 0,334
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,404
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 125 | € 0,334 | € 8,35 |
150+ | € 0,139 | € 3,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas