Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
X2-DFN0806
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
0.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.96 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 15,77
€ 0,158 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 19,08
€ 0,191 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 15,77
€ 0,158 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 19,08
€ 0,191 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
X2-DFN0806
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
0.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.96 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas