Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PowerDI3333-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.77V
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,328
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 0,397
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
€ 0,328
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 0,397
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PowerDI3333-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.77V
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas