Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12.2 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
U-DFN2020
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
12.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Plotis
2.05mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.58mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,113
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,137
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,113
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,137
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12.2 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
U-DFN2020
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
12.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Plotis
2.05mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.58mm
Kilmės šalis
China