Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.2 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 45,60
€ 0,091 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,18
€ 0,11 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
500

€ 45,60
€ 0,091 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,18
€ 0,11 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,091 | € 9,12 |
1000 - 2400 | € 0,072 | € 7,22 |
2500 - 4900 | € 0,068 | € 6,84 |
5000+ | € 0,048 | € 4,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.2 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas