Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
DMG2302UK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.8 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,172
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,208
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
€ 0,172
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,208
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,172 | € 17,22 |
500 - 900 | € 0,147 | € 14,70 |
1000 - 1900 | € 0,13 | € 13,02 |
2000 - 2900 | € 0,117 | € 11,66 |
3000+ | € 0,106 | € 10,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Serija
DMG2302UK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.8 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas