Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A, 9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PDI3333
Serija
DMC3016LNS
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ, 38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2 V, 2.4 V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2 V, 1.4 V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.7 nC @ 15 V, 21 nC @ 15 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,072
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,087
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,072
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,087
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A, 9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PDI3333
Serija
DMC3016LNS
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ, 38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2 V, 2.4 V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2 V, 1.4 V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.7 nC @ 15 V, 21 nC @ 15 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas