Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
15 A, 21 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
DMC3016LDV
Pakuotės tipas
PDI3333
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ, 38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2 V, 2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2 V, 1.4V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
2
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.7 nC @ 15 V, 21 nC @ 15 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,545
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,66
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
Standartas
20
€ 0,545
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,66
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
Standartas
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,545 | € 10,91 |
100 - 480 | € 0,48 | € 9,60 |
500 - 980 | € 0,467 | € 9,35 |
1000 - 1980 | € 0,455 | € 9,10 |
2000+ | € 0,445 | € 8,89 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
15 A, 21 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
DMC3016LDV
Pakuotės tipas
PDI3333
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ, 38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2 V, 2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2 V, 1.4V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
2
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.7 nC @ 15 V, 21 nC @ 15 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas