Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A, 5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
TSOT-26
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ, 168 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Plotis
1.65mm
Ilgis
2.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 60,42
€ 0,101 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 73,11
€ 0,122 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
600

€ 60,42
€ 0,101 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 73,11
€ 0,122 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
600

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
600 - 1450 | € 0,101 | € 5,04 |
1500+ | € 0,084 | € 4,18 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A, 5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
TSOT-26
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ, 168 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Plotis
1.65mm
Ilgis
2.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas