N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc BSS123-7-F
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,032
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,039
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
500
€ 0,032
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,039
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
500
Pirkti dideliais kiekiais
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 500 - 900 | € 0,032 | € 3,23 |
| 1000 - 2400 | € 0,032 | € 3,23 |
| 2500 - 4900 | € 0,029 | € 2,94 |
| 5000+ | € 0,028 | € 2,85 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products