Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3.2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
700 V
Pakuotės tipas
TO-126
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
10 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Maximum Operating Frequency
4 (Min.) MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
8.2 x 2.9 x 11.2mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,34
Each (In a Bag of 4000) (be PVM)
€ 0,411
Each (In a Bag of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,34
Each (In a Bag of 4000) (be PVM)
€ 0,411
Each (In a Bag of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3.2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
700 V
Pakuotės tipas
TO-126
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
10 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Maximum Operating Frequency
4 (Min.) MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
8.2 x 2.9 x 11.2mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas