Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1.5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
700 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Maximum Operating Frequency
4 (Min.) MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
4.7 x 3.7 x 4.7mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,066
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,08
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
€ 0,066
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,08
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1.5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
700 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Maximum Operating Frequency
4 (Min.) MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
4.7 x 3.7 x 4.7mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas