Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Memory Size
8Mbit
Organisation
1024K x 8 bit
Number of Words
1024K
Number of Bits per Word
8bit
Maximum Random Access Time
45ns
Address Bus Width
8bit
Clock Frequency
1MHz
Low Power
Yes
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
TSOP
Kaiščių skaičius
44
Matmenys
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Aukštis
1.04mm
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Ilgis
18.51mm
Plotis
10.26mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2.2 V
Produkto aprašymas
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 8,72
už 1 vnt. (be PVM)
€ 10,55
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 8,72
už 1 vnt. (be PVM)
€ 10,55
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 8,72 |
10 - 24 | € 6,82 |
25 - 99 | € 6,62 |
100 - 499 | € 6,09 |
500+ | € 5,88 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Memory Size
8Mbit
Organisation
1024K x 8 bit
Number of Words
1024K
Number of Bits per Word
8bit
Maximum Random Access Time
45ns
Address Bus Width
8bit
Clock Frequency
1MHz
Low Power
Yes
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
TSOP
Kaiščių skaičius
44
Matmenys
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Aukštis
1.04mm
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Ilgis
18.51mm
Plotis
10.26mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2.2 V
Produkto aprašymas
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.